三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产

📋总体概括

ASML在SPIE大会前夕宣布与三星、台积电、英特尔等三大先进制程企业合作，推动High NA EUV光刻系统从传统6英寸掩膜过渡至12英寸掩膜，以提升机台生产效率、降低成本并解决「半场」拼接问题。三星确认2028年将High NA EUV用于先进DRAM大规模生产，台积电计划从2031年起导入先进逻辑制程量产。各方还计划2031年前建成12英寸掩膜试点线，为2033年在High NA EUV先进制程中正式投产做准备。