阿斯麦与台积电推动高NA EUV光罩向12英寸升级，计划2031年建立试产线

📋总体概括

阿斯麦与台积电宣布成立行业合作计划，将高数值孔径（High NA）EUV光刻的光罩从6英寸升级至12英寸，以提升晶圆厂效率、降低制造成本并消除拼接限制。双方计划2031年建成12英寸光罩试产线，力争2033年让12英寸高NA EUV系统进入先进制程量产。台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术，这一布局将直接影响未来先进芯片的成本曲线与量产节奏。