三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布扩大战略合作，计划于2028年前首次将高数值孔径（High NA）EUV光刻技术用于DRAM大规模生产，这将是该尖端设备在DRAM领域的首次量产应用。同时，三星将加入推动12英寸光罩发展的行业合作计划，并与合作伙伴共同开发配套基础设施。三星称12英寸光罩可提升晶圆厂生产效率、降低制造成本并减少光罩拼接限制；高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线、简化工艺。此举显示出三星在存储芯片先进制程竞赛中加码押注下一代光刻技术。