备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺

📋总体概括

IT之家 9 月 7 日消息，韩媒 ChosunBiz 当地时间今日报道称，SK 海力士的第 6 代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 有望在 2027 年初超越 1b nm 成为该企业的第一大内存制程 。 从 2026Q1 到 2027Q1 ，SK 海力士 1c nm 在其总 DRAM 产能中的占比逐季度分别为 10%、13%、24%、34%、35%；而到 2027 年初其 1b nm