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国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储
📋总体概括
国产半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发文，宣布针对64层硅/硅锗交替堆叠的3D DRAM结构，开发出两步循环刻蚀工艺：先以无偏置电中性氟自由基定点刻蚀硅锗层，再引入反应气体清除底部副产物，解决高深宽比横向选择性刻蚀导致硅骨架受损、刻蚀不均的行业难题，工艺实现超500:1的硅锗刻蚀选择比。在EUV对华禁运背景下，该技术为长鑫存储等厂商绕过光刻封锁、推进3D DRAM自主量产提供了设备端支撑。
⚡关键信息
- ▸北方华创在IEEE期刊发表论文，宣布3D DRAM刻蚀工艺重大突破， target是64层硅与硅锗交替堆叠结构
- ▸创新采用两步循环刻蚀：先用无偏置电中性氟自由基刻蚀硅锗，再引入反应气体清理副产物沉积
- ▸工艺实现超500:1的硅锗刻蚀选择比，攻克高深宽比下硅骨架易受损、各层刻蚀不均的行业难题
- ▸3D DRAM通过晶体管三维垂直堆叠提升存储密度，被视为DRAM技术演进的下一阶段
- ▸该技术有望帮助长鑫存储在EUV光刻机禁运下绕过光刻壁垒，推进先进存储自主量产
🔥犀利点评
把突破点放在刻蚀而非光刻上，是绕开EUV封锁的现实打法——3D堆叠本质是用刻蚀和沉积的复杂度换光刻精度，正好打在国产设备的优势区。但论文数据到量产隔着良率、成本和产能三座大山，IEEE发文不等于产线跑通。这是方向正确的第一步，别急着开庆功会，长鑫能不能真用上、用得多省，两三年后见分晓。
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