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科研团队实现埃米级原子滑移,撬动千万倍电阻变化
📋总体概括
中国科学院半导体研究所团队在二维范德华异质结界面工程上取得突破,利用仅0.1纳米尺度的原子层滑移,实现千万倍电阻变化,攻克了滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题。成果9月11日发表于《科学》。该器件若完善大规模阵列与配套电路,有望用于手机、电脑等终端存储与运算,为存算一体架构落地提供新技术方案。
⚡关键信息
- ▸中科院半导体所通过二维范德华异质结界面工程实现埃米级原子层滑移调控电阻
- ▸仅0.1纳米尺度滑移即可撬动千万倍电阻变化,开关比表现突出
- ▸攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的行业难题
- ▸成果于9月11日发表于国际学术期刊《科学》
- ▸未来有望用于手机、电脑终端硬件,助力存算一体架构与低功耗计算
🔥犀利点评
实验室里千万倍的电阻开关比确实漂亮,发《科学》也实至名归,但从中科院的一篇论文到手机里的存储芯片,中间隔着大规模阵列、良率、成本三座大山。科研团队自己也承认要先完善器件阵列和电路——这恰恰是最难啃的部分。国产存算一体缺的不是单点突破,而是把突破变成产线的能力,且看下一步。
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