SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

📋总体概括

SK海力士宣布目标在2028年将High NA EUV光刻工艺用于DRAM大规模量产，与三星同日公布的2028年High NA EUV内存量产计划正面撞线。ASML已于9月8日联合台积电、三星、英特尔推动High NA EUV生态系统向12英寸掩膜过渡，SK海力士正在评估是否加入该联盟；美光则计划在1δ（第7代10nm级）DRAM工艺导入最新一代EUV设备。三大存储原厂在High NA EUV上的竞赛正式提速，DRAM微缩竞争进入新阶段。