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不靠EUV也能造HBM！前英特尔大牛结束7年隐身：宣称破解HBM供应瓶颈
📋总体概括
前英特尔科学家Sasi Manipatruni联合创办的芯片初创公司Kepler Computing在隐身7年后正式亮相，宣布开发基于3D堆叠和专有铁电材料的新型内存架构，声称无需EUV光刻机即可大幅提升HBM和SRAM密度，缓解全球HBM供应瓶颈。公司累计融资4.68亿美元，投资方包括英特尔Capital、AMD Ventures、GlobalFoundries（投资5000万美元并担任制造伙伴），美国商务部承诺提供最高2.45亿美元支持。公司计划年内出货首批HBM样品，2028年启动美国本土生产。
⚡关键信息
- ▸Kepler Computing结束7年隐身模式，推出基于3D堆叠和专有铁电材料的新型内存架构，宣称不依赖EUV即可提升HBM密度
- ▸公司累计融资4.68亿美元，投资方涵盖英特尔Capital、AMD Ventures、Baillie Gifford及盖茨旗下Gates Frontier
- ▸GlobalFoundries投资5000万美元并担任制造合作伙伴，美国商务部承诺提供最高2.45亿美元资金支持
- ▸核心主张是不新建耗资200亿至400亿美元的内存晶圆厂，仅改造现有产线即可增加HBM供给
- ▸已在约2000片晶圆上完成技术验证，计划今年出货首批样品，明年在新加坡扩产，2028年美国本土生产
🔥犀利点评
故事讲得漂亮，但明眼人都看得出这是地缘政治的产物而非纯技术突破——绕开EUV、改造现有产线、GF代工、商务部补贴，一整套美国重建内存供应链的剧本。铁电材料+3D堆叠能否撼动SK海力士、三星用真金白银堆出的HBM护城河，2000片晶圆的验证规模还远远不够说明问题。别急着欢呼，先看2028年美国产线能不能真跑起来。
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