韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%：4个里3个是废品！拿什么追SK海力士

📋总体概括

韩国《朝鲜日报》报道称，长鑫存储已启动第四代HBM3试产，但初期良率仅25%，远低于行业80%的量产黄金线，而SK海力士同类产品自2022年量产后良率已超90%。韩媒将瓶颈指向TSV硅通孔技术：长鑫每颗芯片TSV数量约3000个，明显少于三星HBM2的5000个和SK海力士HBM3的8000个。报道基调带有明显竞争色彩，但也客观揭示了中国厂商在先进堆叠封装工艺上与韩国头部企业仍存在代差，追赶需要时间积累。